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BU2527AF中文资料

BU2527AF图片

BU2527AF外观图

  • 大小：70.81KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：Silicon Diffused Power Transistor
  • 安装类型：通孔
  • 宽度：5.2mm
  • 封装类型：TO-247F
  • 尺寸：21.5 x 15.3 x 5.2mm
  • 引脚数目：3
  • 晶体管类型：NPN
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：45000 mW
  • 最大基极-发射极饱和电压：1.3 V
  • 最大直流集电极电流：12 A
  • 最大集电极-发射极电压：800 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：5 V
  • 最小直流电流增益：5 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：双极功率
  • 配置：单
  • 长度：15.3mm
  • 高度：21.5mm

BU2527AF供应商

更新时间:2023-01-02 10:40:10
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